璁㈣喘鐢佃瘽锛�0755-83217923 鍜屾垜鍗虫椂浜よ皥
元器件采购网 > S-416页 > FET - 阵列SI4340CDY-T1-E3

相关型号

型号 封装 厂家 数量 咨询价格 在线订购

SI4340CDY-T1-E3

14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Vishay Siliconix 168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
询价QQ:鍜屾垜鍗虫椂浜よ皥
SI4340CDY-T1-E3参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:14.1A,20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9.4 毫欧 @ 11.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 10V
功率 - 最大:3W,5.4W
安装类型:表面贴装

热门型号:

振荡器FXO-PC525-212.5 配件PA2805 PMIC - 电池MC33341P 评估演示板和套件BQ24152EVM 薄膜电容器B32923E3335K 嵌入式 - FPGM1AFS1500-FGG256K 存储器AT29C010A-90PC RF FETMRF8P26080HR5 RF FETMRF8S21172HR3 陶瓷电容器12101A152GAT2A